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当铁电薄膜与金属或半导体接触时，剩余极化引起的表面电荷将会被金属或半导体中的自由电荷部分屏蔽。通常，表面电荷之所以不完全被屏蔽因为极化电荷和自由补偿电荷重心不重合，在整个铁电薄膜内部就产生电场，即退极化场。
退极化场可能很大，例如对于厚度为 10 ～ 30nm 的 BTO 薄膜而言，由 BTO 与 Sr Ru O3电极构成的三明治结构中的退极化场约为 45×106V/m。如此高的退极化场被认为是分离光生载流子的主要驱动力，同时也表明反常光伏效应与极化电荷的屏蔽程度密切相关。
屏蔽电荷的分布取决于铁电材料和金属 ( 或半导体 ) 的性质，例如剩余极化强度、自由电荷密度及介电常数等。另一方面未被屏蔽的极化电荷对退极化场的影响主要取决于铁电层的厚度：厚度小的铁电层结果退极化场大。
一般来说，半导体与铁电材料接触产生的退极化场比金属与铁电材料接触所产生的退极化场大，这是由于半导体材料具有较小的自由电荷密度和较大的介电常数，从而产生较弱的屏蔽效应。